8月8日，在成都高新西區高投芯未高端功率半導體器件及模組研發生產項目的施工現場，成都高投芯未半導體有限公司負責人胡強博士一次性領取了《建設用地規劃許可證》《建設工程規劃許可證》《建筑工程施工許可證》以及《不動產權證書》“四證”，隨即啟動項目快速建設工作，預計明年8月即可建成投產。

      工業項目從拿地到動工建設一般需花費約150個自然日，芯未項目則用時不到5個工作日，全面刷新了拿地建設時間紀錄。深化“標準地”改革，推行“拿地即開工”營商環境優化是成都高新區當前正全力推進的重要方針，芯未半導體作為支撐產業建圈強鏈的重要支柱，建成后將為高新西區后續項目快速落地提供榜樣示范。

       芯未半導體負責人胡強博士表示：在國家出臺系列政策支持半導體產業發展的大背景下，以IGBT為代表的功率半導體行業市場迎來了廣闊的發展前景。項目總投資約10億元，建成投產后將為功率半導體設計企業提供IGBT特色授權委托加工服務，包括IGBT芯片、模組及方案組件產品等，預計有望實現年營收9億元、年稅收7000萬元。

      成都高投芯未半導體有限公司，由成都高新發展股份有限公司出資設立，主要從事IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）高端功率半導體芯片及產品的生產，一期將建設一條8英寸超薄IGBT特色背面晶圓線，一條高端功率半導體集成封裝生產線。成為我國IGBT芯片領域的重要發展力量。